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九游会J9硅单质在纯HF中的腐蚀速度很小-九游会J9·(china)官方网站-真人游戏第一品牌

发布日期：2024-06-14 05:00    点击次数：128

本站音信，字据企查查数据透露扬杰科技（300373）新取得一项发明专利授权，专利名为“一种改善后头金属与衬底Si零碎超越的加工时刻”，专利请求号为CN202011102682.9，授权日为2024年5月3日。

专利摘要：一种改善后头金属与衬底Si零碎超越的加工时刻。触及一种芯片后头减薄后的去应力清洗工艺，尤其触及一种改善后头金属与衬底Si零碎超越的加工时刻。提供了一种提高后头金属与Si之间的集协力的一种改善后头金属与衬底Si零碎超越的加工时刻。本发明主要变嫌了硅腐蚀液的配方，常温下，硅单质在纯HF中的腐蚀速度很小，可忽略为不反映，可是要是加入HNO3,腐蚀速度会大大增多，其中HNO3当作氧化剂氧化了单质Si。诈欺硝酸的强氧化性，先将Si氧化为SiO2，再由HF将二氧化硅去除。缓冲剂提供H+源泉，使腐蚀速度大致保抓结识。本发明具有加工便捷，普及后头集协力等性情。

本年以来扬杰科技新取得专利授权31个，较昨年同时增多了72.22%。辘集公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面插足了3.56亿元，同比增21.57%。

数据源泉：企查查

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